
内存条
我司内存条采用JEDEC标准设计规范,目前拥有U-DIMM、SO-DIMM两种形态,容量涵盖4GB/8GB/16GB/32GB。
我司所有内存类产品均采用品牌DRAM颗粒资源,经过严格测试,具有良好的性能和稳定的兼容性,我公司的内存类产品能够显著提升台式机、笔记本等个人和商用电脑的性能,在企业级、服务器系统和数据中心等应用领域也有着优异表现。面对内存国产化大环境,我司将发挥本土优势,与行业友商一起努力共同推动国家半导体工业的健康快速发展。
产品线优势
01
资源型战略合作机制,
拥有长期稳定的DRAM资源
02
通过严格的EVT/DVT/PVT流程,
搭建严格的产品测试验证体系
03
自有测试基地和国内专业制造企业并重的供应
链体系,依靠完善的生产制造管控体系,打造
高质量工艺路线,输出高品质产品。
04
通过严格的验证和认证,
经专业测试机构评定为优质产品,颁发相应证书
(对应下面表格)
01
资源型战略合作机制,
拥有长期稳定的DRAM资源
03
自有测试基地和国内专业制造企业并重的供应
链体系,依靠完善的生产制造管控体系,打造
高质量工艺路线,输出高品质产品。
02
通过严格的EVT/DVT/PVT流程,
搭建严格的产品测试验证体系
04
通过严格的验证和认证,
经专业测试机构评定为优质产品,颁发相应证书
(对应下面表格)
应用老化测试
产品可靠性测试
工业可靠性测试
产品可靠性认证
老化测试
1.14V/1.26V,-10℃~+70℃
性能测试
CPU-Z/ 3DMark/ AIDA64/ PassMark/ ZIP
Over Spec
超频 Margin
Power Cycle
休眠-重启-待机
兼容性测试
AMD/ INTEL/ KunPeng/ Loongson/ Phytium
1
1
冷热冲击
-40℃~+85℃
四角测试
CPU-Z/ 3DMark/ AIDA64/ PassMark/ ZIP
ESD
空气放电8KV,接触放电4KV
高低温测试
0℃~+60℃ 72Hours
弯曲/扭曲测试
23N(34N)/0.5NM扭矩
1
1
震动实验
5Hz~100Hz/PSD 0.01 g2/Hz X/Y/Z
跌落实验
1M 9面向
RoHS
无铅,无卤
FCC
标准
CE
标准
EMC
EMI,EMS
技术特性

8层高密度线路板搭载,提供高速信号传输完整性保障机制

标准DRAM存储技术架构,通过Bank Group技术实现8倍比特预取机制,动态模式提供最优的省电效能, 电容最小存储单元提供理论无限次随机读写能力;

标准化兼容,支持所有DDR标准化接口。无需硬件调试,适配既可应用
应用场景

移动终端
笔记本电脑、平板电脑

功能设备
台式机,一体机

智慧终端
智慧屏,银行自主终端,商业自助系统等

商业电子
智能打印,商业广告屏等
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